MS80-100-S3 RFI and EMI - Shielding and Absorbing Materials_Electronic components_ Integrated circuit IC_ Semiconductor components_ Equipment procurement_ EIS LIMITED

MS80-100-S3

：	MS80-100-S3
：	RFI and EMI - Shielding and Absorbing Materials
：	WITHWAVE CO LTD
：	RF EMI ABSORB S
：	-
：	Sheet
：

高速运算放大器

轨到轨输出CMOS运放

轨到轨输出运放

高速运算放大器

轨到轨输出运放

轨到轨输出CMOS运放

轨到轨输出运放

高速运算放大器

通用运算放大器

250MHz 轨到轨输出 CMOS 运算放大器

高速运算放大器

8位 8051 芯片

350MHz、轨到轨输出、带使能端运算放大器

轨到轨输出CMOS运放

32位 M0 芯片

Silicon & GaAs Schottky Diodes

小信号双极型晶体管

肖特基势垒二极管（双管）

跨阻放大器

32位 M0 芯片

8 位 FLASH 单片机

多功能视频处理器

实验室天平

料位开关

Chip Fuses

温湿度变送器

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，200A，0.65mΩ

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，131A，2.5mΩ

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，49A，2.4mΩ

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，423A，0.65mΩ

100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A，13mΩ

30V N沟道PowerTrench® MOSFET

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，5.0mΩ

30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

HITAG µ (ISO14223) and (ISO11784/85) Transponder IC

增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

增强型闪存8位1T 8051微控制器

增强型1T 8051 Flash MCU

增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

RF EMI ABSORB SHEET 300MMX8.268"

Product parameters

PDF(1)

TYPE	DESCRIPTION
Mfr	WITHWAVE CO LTD
Series	W-Absorber™
Package	Sheet
Product Status	ACTIVE
Material	Polymer Resin, Magnetic Powder
Length	11.811" (300.00mm)
Shape	Sheet
Type	Absorbing Sheet
Width	8.268" (210.00mm)
Operating Temperature	-30°C ~ 90°C
Adhesive	Self-Adhesive
Thickness - Overall	0.039" (1.00mm)