THGJFLT1E45BATP

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THGJFLT1E45BATP
Memory
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
256GB UFS V4.0
-
Tray
1
e-MMC
薄膜片式固定电阻器
包含集成控制器的闪存
包含集成控制器的闪存
包含集成控制器的闪存
薄膜片式固定电阻器
包含集成控制器的闪存
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
e-MMC
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
包含集成控制器的闪存
薄膜片式固定电阻器
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薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
e-MMC
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
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薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器
薄膜片式固定电阻器


256GB UFS V4.0 GEN12

Product parameters
TYPEDESCRIPTION
MfrToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Seriese•MMC™
PackageTray
Product StatusACTIVE
Package / Case153-WFBGA
Mounting TypeSurface Mount
Memory Size4Tbit
Memory TypeNon-Volatile
Operating Temperature-25°C ~ 85°C
Voltage - Supply2.4V ~ 2.7V
TechnologyFLASH - NAND (TLC)
Clock Frequency2.32 GHz
Memory FormatFLASH
Supplier Device Package153-WFBGA (11.5x13)
Memory InterfaceUFS 4.0
Memory Organization512G x 8

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+86-13723477211

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